آغاز فرآیند تولید انبوه فناوری ساخت 5 نانومتر در سال 2020 میلادی توسط کمپانی TSMC

آغاز فرآیند تولید انبوه فناوری ساخت 5 نانومتر در سال 2020 میلادی توسط کمپانی TSMC


آغاز فرآیند تولید انبوه فناوری ساخت 5 نانومتر در سال 2020 میلادی توسط کمپانی TSMC

اشتراک گذاری این مطلب

بر طبق تازه‌ترین اطلاعات به دست آمده از منابع رسانه DigiTimes، کمپانی TSMC به دنبال آن است تا فرآیند تولید انبوه فناوری ساخت 5 نانومتر (5nm) خود را در ماه مارچ سال 2020 میلادی و هنگام آمادگی دیگر کمپانی‌های موجود جهت استفاده از لیتوگرافی جدید در محصولات آینده خود آغاز نماید. با توجه به اینکه که فرآیند طراحی و تولید انبوه فناوری ساخت 5 نانومتر درست دو سال پس از لیتوگرافی 7 نانومتر شروع شده است، بسیاری بر این عقیده‌اند که فناوری ساخت فوق در تلاش است تا مسیر قانون مور را مجدداً در پیش گرفته و طی نماید.

آغاز فرآیند تولید انبوه فناوری ساخت 5 نانومتر در سال 2020 میلادی توسط کمپانی TSMC

طراحی و ساخت فناوری ساخت 5 نانومتر بر مبنای لیتوگرافی Extreme Ultra-Violet (به اختصار EUV) کمپانی TSMC انجام پذیرفته و با استفاده از فناوری ترانزیستورهای FinFET فعلی، قرار است تا بهبودهای بسیار فراوانی در حوزه سرعت، میزان انرژی مصرفی و چگالی را نسبت به فناوری ساخت 7 نانومتر به ارمغان آورد. انتظار می‌رود تا سرعت عملکرد لیتوگرافی جدید با افزایش 15 درصدی همراه شده و این مقدار در مورد چگالی ترانزیستورها برابر با 80 درصد می‌باشد که رقم بسیار خیره‌کننده‌ای برای همگان محسوب می‌شود. کاهش چشمگیر میزان انرژی مصرفی به میزان 30 درصد نیز از جمله دیگر مزیت‌های لیتوگرافی جدید و تازه‌نفس 5 نانومتر به شمار می‌رود. بدون شک فناوری ساخت جدید و مدرن کمپانی TSMC در زمینه افزایش قابل توجه کارایی پردازشگرهای کامپیوتری تأثیرات بسیاری را با خود به ارمغان آورده و آینده درخشانی را در انتظار این صنعت قرار داده است.

منبع: TechPowerUP

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *