بهبود چگالی ترانزیستوری به 84 تا 87 درصد توسط فناوری ساخت N5P کمپانی TSMC

بهبود چگالی ترانزیستوری به 84 تا 87 درصد توسط فناوری ساخت N5P کمپانی TSMC


بهبود چگالی ترانزیستوری به 84 تا 87 درصد توسط فناوری ساخت N5P کمپانی TSMC

اشتراک گذاری این مطلب

در یکی از تحلیل و بررسی‌های انجام شده توسط رسانه WikiChip، میزان بهبود نسل آینده فناوری ساخت 5 نانومتر کمپانی TSMC که تحت عنوان N5P شناخته می‌شود در فاکتور چگالی ترانزیستوری در مقایسه با اولین نسخه تجاری از لیتوگرافی 7 نانومتر نسل پیشین آن، یعنی 7nm DUV برای با 84 تا 87 درصد تخمین زده شده است که در نوع رقم بسیار بالایی محسوب شده و نویددهنده افزایش قابل توجهی در کارایی پردازشگرهای نسل آینده در مقایسه با تراشه‌های کنونی است. اگرچه رقم اعلام شده به‌صورت رسمی از جانب کمپانی TSMC در خصوص افزایش چگالی ترانزیستوری برابر با 84 درصد است، اما این میزان در تحلیل و بررسی رسانه فوق به 87 درصد بهبود پیدا کرده است. انتظار می‌رود تا فرآیند تولید فناوری ساخت N5P کمپانی TSMC زمانی در سال جاری میلادی آغاز شود.

بهبود چگالی ترانزیستوری به 84 تا 87 درصد توسط فناوری ساخت N5P کمپانی TSMC

فرآیند تولید نسخه ریسک نسل پیشین فناوری ساخت مورد بحث، یعنی N5 در اوایل سال 2020 میلادی شروع شده و تولید نودهای مبتنی بر این لیتوگرافی، در صورت عدم تأخیر در زمان‌بندی در نتیجه شیوع پندمی کووید 19 در ماه آوریل و یا مه انجام می‌پذیرد. فناوری ساخت N5P کمپانی TSMC قادر است تا چگالی ترانزیستوری تقریباً 171.3 میلیون ترانزیستور بر هر میلی‌متر مربع را به ارمغان آورد که این میزان در مقایسه با چگالی 91.2mTr بر هر میلی‌متر مربع لیتوگرافی کنونی N7 بیشتر بوده و نمایانگر بهبود کارایی و همچنین مشخصات در تمامی جنبه‌های ممکن است. با توجه به اینکه اپل در نظر دارد تا طراحی و توسعه تراشه‌های A14 خود را بر مبنای این فناوری ساخت به انجام رساند، بنابراین انتظار می‌رود تا بزرگ‌ترین مشتری لیتوگرافی N5P در سال 2020 میلادی این کمپانی باشد.

منبع: TechPowerUP

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *