تولید اولین تراشه حافظه دینامیک HBM2E توسط کمپانی SK Hynix

تولید اولین تراشه حافظه دینامیک HBM2E توسط کمپانی SK Hynix


تولید اولین تراشه حافظه دینامیک HBM2E توسط کمپانی SK Hynix

اشتراک گذاری این مطلب

کمپانی SK Hynix در جدیدترین تلاش خود خبر از اتمام مراحل طراحی و توسعه حافظه اصلی دینامیک جدید و منحصر به فرد HBM2E را با بالاترین میزان پهنای باند تاکنون مشاهده شده در تاریخ حافظه‌های پویا داده است. تراشه‌های HBM2E جدید طراحی شده در مقایسه با محصولات نسل فعلی خود، یعنی HBM2 از پنجاه درصد پهنای باند بیشتر برخوردار بوده و ظرفیت ذخیره‌سازی آن‌ها نیز با افزایش 100 درصدی همراه شده است. تراشه‌های حافظه جدید و منحصر به فرد کمپانی اس‌کی هاینیکس از پهنای باندی به گستردگی 460 گیگابایت بر ثانیه پشتیبانی کرده و از امکان دریافت تعداد 1024 داده ورودی و خروجی از طریق هر پین برخوردار می‌باشند. علاوه بر آن پهنای باند به ارمغان آورده شده بر هر پین برابر با 3.6 گیگابیت بر ثانیه می‌باشد. استفاده از فناوری TSV سبب شده است تا امکان قرارگیری تعداد هشت چیپ 16 گیگابیت به‌صورت عمودی میسر شده و ظرفیت هر پشته به 16 گیگابایت فزونی پیدا نماید.

HBM2E

محصول HBM2E کمپانی اس‌کی هاینیکس راهکاری منحصر به فرد جهت استفاده در دوره چهارم صنعتی به شمار رفته و حوزه‌هایی نظیر تراشه‌های شتاب‌دهنده گرافیکی پیشرفته، ابر رایانه‌ها، یادگیری ماشینی و سیستم‌های هوش مصنوعی را تحت پوشش خود در آورده است. برخلاف حافظه‌های DRAM سنتی که باید در قالب یک ماژول بر روی سخت‌افزار مادربرد نصب شوند، تراشه‌های HBM2E می‌توانند به‌صورت به هم پیوسته در نزدیکی پردازشگر نظیر تراشه شتاب‌دهنده گرافیکی با فاصله‌ای بسیار کمتر (در حدود چند میکرومتر) قرار گرفته و بهبود فراتری در سرعت انتقال اطلاعات را میسر سازند.

منبع: TechPowerUP

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *